| Característica |
BJT |
MOSFET |
| Tipo de control |
Controlado por corriente (Base) |
Controlado por voltaje (Puerta o Gate) |
| Terminales |
Emisor, Base y Colector |
Source, Gate y Drain |
| Tipo de portadores |
Ambos: electrones y huecos (bipolar) |
Un solo tipo de portador (unipolar) |
| Ganancia |
Alta ganancia de corriente (β) |
Alta ganancia de potencia y conmutación rápida |
| Velocidad de conmutación |
Moderada |
Muy alta (ideal para conmutación digital) |
| Consumo de energía |
Mayor, debido a la corriente de base |
Menor, casi nulo en la puerta (Gate) |
| Impedancia de entrada |
Baja (Base requiere corriente) |
Muy alta (Gate aislado) |
| Comportamiento térmico |
Disminuye el rendimiento con el calor |
Mejor estabilidad térmica |
| Uso típico |
Amplificadores analógicos |
Circuitos digitales y conmutación rápida |
| Costo |
Generalmente más económico |
Puede ser más caro (según tipo y aplicación) |
