Comportamiento de la Curva I-V del Transistor

1. Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)

En un BJT, la curva I-V describe la relación entre la corriente de colector (IC) y la tensión colector-emisor (VCE) para diferentes valores de corriente de base (IB).

• Región de corte: IB = 0, no circula corriente por el colector. El transistor está apagado.
• Región activa: La corriente de colector IC aumenta casi linealmente con IB, mientras que es casi independiente de VCE. Aquí el transistor puede amplificar señales.
• Región de saturación: Tanto la unión base-emisor como base-colector están polarizadas directamente. IC deja de aumentar significativamente con IB. El transistor actúa como un interruptor cerrado.

2. Transistor MOSFET

En un MOSFET, la curva I-V muestra la corriente de drenador (ID) frente a la tensión drenador-fuente (VDS) para diferentes tensiones de compuerta (VGS).

• Región de corte: VGS < Vth. No hay conducción; el MOSFET está apagado.
• Región lineal (óhmica): VDS es pequeño. El MOSFET se comporta como una resistencia controlada por la tensión de compuerta.
• Región de saturación: VDS ≥ (VGS - Vth). ID se mantiene casi constante, y el transistor actúa como una fuente de corriente.

En ambos tipos de transistores, la curva I-V es fundamental para entender su comportamiento en amplificadores y circuitos de conmutación.